[发明专利]一种Ge基MOS器件结构在审
| 申请号： | 201611072558.6 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN106601587A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 刘丽蓉;王勇;丁超 | 申请（专利权）人： | 东莞市广信知识产权服务有限公司;东莞华南设计创新院 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 广东莞信律师事务所44332 | 代理人： | 曾秋梅 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市松山湖高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种Ge基MOS界面处理方法，该处理方法包括准备一N型掺杂的Ge衬底，并进行有机清洗；在臭氧去胶机种进行臭氧处理10分钟，采用稀盐酸和稀释的氨水处理Ge表面；再采用硫化铵处理表面；放入ALD腔体进行TMA吹扫10分钟；采用TAM与H2O为前躯体生长Al2O3厚度为3纳米；采用氧气环境下退火300度30秒。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ge mos 器件 结构 | ||
【主权项】：
一种Ge基MOS界面处理方法，其处理步骤如下：(1)准备一N型掺杂的Ge衬底，进行常规有机清洗；(2)在臭氧去胶机种进行臭氧处理10分钟，用稀盐酸和稀氨水处理锗表面；(3)采用硫化铵处理表面后，在极短时间内立刻方法原子层沉积系统(4)在原子层沉积系统内对样品进行TMA吹扫；(5)采用以TMA和水为前躯体生长Al2O3，厚度为3纳米；(6)在含氧的氮气环境下对样品片进行退火，退火温度300度，时间为30sec。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
