[发明专利]一种大面积纳米缝隙阵列及其制作方法在审
| 申请号： | 201611072696.4 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN106773540A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 时元振;庞霖 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610065 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于大面积纳米缝隙阵列的制作方法，涉及微纳加工领域。将角度沉积的阴影效应与基底旋转结合起来，通过调节基底的旋转速度、纳米掩模结构、沉积角度及沉积速度参数相互配合，制作新型且大面积的纳米缝隙阵列结构。并且利用本发明所公开的技术，以光栅为沉积掩模基底，已经制作出大面积周期性纳米缝隙阵列结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大面积 纳米 缝隙 阵列 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种用于大面积纳米缝隙阵列结构制作的方法，其特征在于，利用角度沉积结合基底旋转，通过调节基底的旋转速度、纳米掩模结构、沉积角度及沉积速度进行制作大面积纳米缝隙阵列结构。
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