[发明专利]铜铟镓硒光电转换装置在审
申请号: | 201611072967.6 | 申请日: | 2016-11-29 |
公开(公告)号: | CN106601843A | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
发明(设计)人: | 梁结平 | 申请(专利权)人: | 梁结平 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H02S20/22;H02S40/34 |
代理公司: | 深圳市精英专利事务所44242 | 代理人: | 冯筠 |
地址: | 528000 广东省佛山市三水区云东海*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种铜铟镓硒光电转换装置。本发明的铜铟镓硒光电转换装置由透明玻璃、胶片、铜铟镓硒光伏电池片、背板和接线盒构成,其中铜铟镓硒光伏电池片通过胶片固定在透明玻璃和背板之间,电池片的两端分别引出接线端,接上接线盒,所述背板包括依次层叠的绝缘层、粘结层、阻隔层、粘结层和耐候层,本发明具有成本低廉、性能优越,降低了光电转换装置对安装角度的要求、施工安装方便、使用寿命长等优点。 | ||
搜索关键词: | 铜铟镓硒 光电 转换 装置 | ||
【主权项】:
一种铜铟镓硒光电转换装置,其特征在于:所述铜铟镓硒光电转换装置由透明玻璃、胶片、铜铟镓硒光伏电池片、背板和接线盒构成,其中铜铟镓硒光伏电池片通过胶片固定在透明玻璃和背板之间,电池片的两端分别引出接线端,接上接线盒,所述背板包括依次层叠的绝缘层、粘结层、阻隔层、粘结层和耐候层,所述铜铟镓硒光伏电池片包括从下到上依次排列的衬底、铝背电极、P型铜铟镓硒层、镉掺杂N型铜铟镓硒层、ITO透明导电薄膜层、P型碲化镉层、N型硫化镉层、氧化锌窗口层以及正面金属电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的