[发明专利]用于结构化衬底的方法有效
| 申请号： | 201611073704.7 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN106816361B | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | M·米希兹;F·伯恩斯坦纳;M·海恩里希 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱;张昊 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本公开涉及用于结构化衬底的方法。根据各个实施例，处理衬底的方法可包括：在包括延伸到衬底中的至少一个外形特征的衬底之上设置粘性材料，以在衬底之上形成保护层；在粘性材料与衬底的接触时段期间调整粘性材料的粘度，以稳定所设置的粘性材料的空间分布；使用保护层作为掩模来处理衬底；以及在处理衬底之后去除保护层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 结构 衬底 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于结构化衬底的方法，包括：在所述衬底之上设置粘性材料，所述衬底包括延伸到所述衬底中的至少一个外形特征，以在所述衬底之上形成保护层；在所述粘性材料与所述衬底的接触时段期间调整所述粘性材料的粘度，以稳定所设置的所述粘性材料的空间分布；使用所述保护层作为掩模来处理所述衬底；以及在处理所述衬底之后去除所述保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
