[发明专利]电子芯片有效
申请号: | 201611073902.3 | 申请日: | 2016-11-29 |
公开(公告)号: | CN107305882B | 公开(公告)日: | 2019-08-06 |
发明(设计)人: | A·萨拉菲亚诺斯;M·利萨特;J·弗特 | 申请(专利权)人: | 意法半导体(鲁塞)公司 |
主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | 本公开的实施例提供了一种电子芯片,包括:在第一导电类型的区域上交替连续设置的多个具有第一导电类型的第一半导体条和多个具有第二导电类型的第二半导体条;设置在每个第二半导体条端部的两个检测触点;用于检测每个第二半导体条端部的两个检测触点之间的电阻的电路;在第二半导体条中延伸到电路元件之间的第一深度的绝缘槽;以及贯穿每个第二半导体条的整个宽度延伸到大于第一深度的第二深度的绝缘壁。 | ||
搜索关键词: | 电子 芯片 | ||
【主权项】:
1.一种电子芯片,包括:第一导电类型的半导体区域;第一导电类型的多个第一半导体条和第二导电类型的多个第二半导体条,所述多个第一半导体条和所述多个第二半导体条交替且连续地设置在所述半导体区域上,所述第二半导体条中的每个具有端部;多对检测触点,每对中的所述检测触点被设置在所述第二半导体条中的相应一个第二半导体条的端部;一个或多个检测电路,被配置为检测设置在每个第二半导体条的所述端部的所述检测触点之间的电阻;绝缘槽,所述绝缘槽在所述第二半导体条中延伸下降到第一深度,并限定所述电子芯片的相应的活动区域;以及绝缘壁,所述绝缘壁中的每个绝缘壁延伸穿过所述第二半导体条中的相应一个第二半导体条的整个宽度并下降到第二深度,所述第二深度大于所述第一深度。
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