[发明专利]一种微米级晶粒结构磷铜球的生产方法在审
申请号: | 201611074212.X | 申请日: | 2016-11-29 |
公开(公告)号: | CN106584028A | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
发明(设计)人: | 于国军;赵长忠;孙天顺;郇国光;赵多生;赵云天;李少利;沈斌;王世卓;王小阳;潘永红;赵有军 | 申请(专利权)人: | 金川集团股份有限公司 |
主分类号: | B23P15/00 | 分类号: | B23P15/00;C25D17/12 |
代理公司: | 甘肃省知识产权事务中心62100 | 代理人: | 张景玲 |
地址: | 737103*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | 本发明公开了一种微米级晶粒结构磷铜球的生产方法,该方法通过熔炼炉熔炼铜液,并连续结晶铸造法生产磷铜杆坯,所产磷铜杆坯经两次晶粒细化破碎成为微观平均晶粒<Φ20μm的微米级晶粒结构磷铜杆坯,该磷铜杆坯经轧制成型为微米级晶粒结构的磷铜球,经抛光、清洗、烘干的微米级晶粒结构的磷铜球产品微观晶粒均匀细小,微观晶粒平均<Φ20μm,且无偏析现象;密度致密,密度>8.9g/cm3;磷元素分布更加均匀,磷含量偏差<0.0030%;球体饱满,表面光亮洁净,对电镀体系溶液不会造成污染。另外,本发明的微米级晶粒结构磷铜球产品在电镀时产生的Cu3P黑膜致密、薄厚均匀,黑膜不容易破损掉渣,释放的二价铜离子(Cu2+)平稳均匀,阳极利用率高达99%。 | ||
搜索关键词: | 一种 微米 晶粒 结构 磷铜球 生产 方法 | ||
【主权项】:
一种微米级晶粒结构磷铜球的生产方法,其特征在于该方法包括以下步骤:(1)将高纯阴极铜和磷含量为12%‑16%的磷铜中间合金加入熔炼炉中熔炼,熔炼温度为1140‑1150℃,熔炼合格的铜液经过渡通道导入保温炉,保温温度为1140‑1150℃,测定保温炉中的铜液化学成分并根据测定结果调整高纯阴极铜和磷铜中间合金的加入量,使得铜液中磷含量精准控制在0.0540%‑0.0590%之间,铜含量大于99.9300%以上;(2)将步骤(1)中熔炼得到的铜液采用连续结晶铸造法生产磷铜杆坯,磷铜杆坯的直径为25.0mm,磷铜杆坯经收线装置收为盘杆;(3)将步骤(2)中所得到的磷铜杆坯经晶粒细化破碎设备高温挤压,挤压温度为500℃‑700℃,并经常温冷却水冷却后快速晶粒破碎为晶粒致密细小的磷铜杆坯,磷铜杆坯的直径为20.0mm;(4)将步骤(3)中所得到的磷铜杆坯按照步骤(3)的破碎方法经晶粒细化破碎设备二次晶粒细化破碎,该磷铜杆坯具有微米级晶粒结构,磷铜杆坯的直径为25.0mm;(5)将步骤(4)中所得到的磷铜杆坯采用斜轧机连续轧制成磷铜球,磷铜球的直径为25.0mm;(6)将步骤(5)轧制得到的磷铜球经抛光桶抛光、清洗,再经烘干、打包为最终的轧制微晶磷铜球成品。
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