[发明专利]一种含埋氧层结构的光电探测器

摘要

本发明涉及半导体器件领域，特别是一种含埋氧层结构的光电探测器，可进行可见光到红外光的探测。其中Ge PIN型光电二极管和Si PIN型光电二极管通过含埋氧层的重掺杂N型Si层背靠背相连，利用Si PIN型光电二极管和Ge PIN型光电二极管分别对短波和长波有较高响应的特点，实现可见光到红外光波段的探测；钝化层既有钝化器件的作用，又有减少短波反射的作用；埋氧层与N型硅层形成布拉格反射镜，可以反射0.85μm左右波段的短波光子，加强Si PIN型光电二极管对0.85μm左右波段短波的吸收；第一金属阳极接触同时作为电极和金属镜，起到加电压和反射长波光子的作用，加强Ge PIN型光电二极管对长波光子的吸收；而且本发明涉及的光电二极管工作电压较低，易与前置放大器混合集成。

主权项

一种含埋氧层结构的光电探测器，包括：由重掺杂P型Ge层(7)、含埋氧层(5)的重掺杂N型Si层(4)和中间掺入的本征Ge层(6)构成的一个Ge PIN型光电二极管以及由含埋氧层(5)的重掺杂N型Si层(4)、重掺杂P型Si层(2)和中间掺入的本征Si层(3)构成的一个Si PIN型光电二极管通过含埋氧层(5)的重掺杂N型Si层(4)背靠背相连；所述埋氧层(5)与重掺杂N型Si层(4)形成布拉格反射镜；含埋氧层(5)的重掺杂N型Si层(4)、本征Ge层(6)和重掺杂P型Ge层(7)构成一个平面结构(12)，本征Si层(3)和重掺杂P型Si层(2)构成一个台面结构(11)；重掺杂P型Ge层(7)下表面设有第一金属阳极接触(8)，在含埋氧层(5)的重掺杂N型Si层(4)上表面左右两侧设有金属阴极接触(9)，在重掺杂P型Si层(2)上表面左右两侧设有第二金属阳极接触(10)；台面结构(11)上表面、侧壁和平面结构(12)上表面左右两侧淀积有一层钝化层(1)。