[发明专利]基于废弃单片的异构集成太赫兹混频器及其实现方法有效
| 申请号： | 201611075950.6 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN106788267B | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 刘子祺 | 申请（专利权）人： | 四川众为创通科技有限公司 |
| 主分类号： | H03D7/14 | 分类号： | H03D7/14 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 田甜 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于废弃单片的异构集成太赫兹混频器及其实现方法，其结构包括石英基板，所述石英基板内设置有依次连接的薄膜二极管、本振低通滤波器和中频滤波器，所述薄膜二极管为薄膜GaAs太赫兹反向并联肖特基混频二极管，所述薄膜二极管采用废弃单片上取下来的二极管，其工作带宽以及中频输出带宽宽、损耗低、不易断裂且工艺简单。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 废弃 单片 集成 赫兹 混频器 及其 实现 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于废弃单片的异构集成太赫兹混频器，其特征在于：包括石英基板（1），所述石英基板（1）内设置有依次连接的薄膜二极管（2）、本振低通滤波器（3）和中频滤波器（4），所述薄膜二极管（2）为薄膜GaAs太赫兹反向并联肖特基混频二极管，所述薄膜二极管（2）采用废弃单片上取下来的二极管，该二极管的具体采集方法为：采用切片工具将废弃单片上核心器件当做分立器件进行操作，仅留下可实现混频功能的反向并联肖特基二极管对。
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