[发明专利]去气腔室和半导体加工设备有效
| 申请号： | 201611076086.1 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN108122805B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 郑金果 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种去气腔室和半导体加工设备。本发明的去气腔室，包括：腔体和设置于腔体上部的加热装置，加热装置通过发出的光线对放置于腔体内的待加工件进行加热；腔体的内侧壁和/或内底壁设置有防反射结构，用于减弱或消除腔体的内侧壁和/或内底壁对光线的反射。本发明的半导体加工设备包括本发明的去气腔室。本发明的去气腔室，能够减弱甚至消除去气腔室的内侧壁和/或内底壁对加热装置发射出的光线的反射，从而消除了发生反射的光线产生的热量对待加工件的加热效应，使待加工件的温度不再随去气腔室的内壁变脏而降低。 | ||
| 搜索关键词： | 去气腔室 半导体 加工 设备 | ||
【主权项】：
一种去气腔室，包括：腔体和设置于所述腔体上部的加热装置，所述加热装置通过发出的光线对放置于所述腔体内的待加工件进行加热；其特征在于，所述腔体的内侧壁和/或内底壁设置有防反射结构，用于减弱或消除所述腔体的内侧壁和/或内底壁对所述光线的反射。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
