[发明专利]一种硅基硅锗漂移层LDMOSFET器件结构在审
| 申请号： | 201611076150.6 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN106783941A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 刘丽蓉;王勇;丁超 | 申请（专利权）人： | 东莞市广信知识产权服务有限公司;东莞华南设计创新院 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L29/772 |
| 代理公司： | 广东莞信律师事务所44332 | 代理人： | 曾秋梅 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市松山湖高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种硅基硅锗漂移层LDMOSFET器件结构，其包括一P型硅基半导体沟道层，一N型掺杂的硅基半导体层，一重N型掺杂的硅基半导体接触层，一N型掺杂的硅锗半导体漂移层，一个深度到P型沟道层的100纳米长的栅槽，一在该栅槽内沉积的氧化硅介质层，一在该介质层上沉积的栅金属，两个由离子注入形成的重N型掺杂的源漏区域，两个在源漏区域沉积的源漏电极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅基硅锗 漂移 ldmosfet 器件 结构 | ||
【主权项】：
一种硅基硅锗漂移层LDMOSFET器件结构，其包括：一P型硅基半导体沟道层；一N型掺杂的硅半导体漂移层；一重N型掺杂的硅基半导体接触层；一N型掺杂的硅锗半导体漂移层；一个深度到P型沟道层的100纳米长的栅槽；一在该栅槽内沉积的氧化硅介质层；一在该介质层上沉积的栅金属；两个由离子注入形成的重N型掺杂的源漏区域；两个在源漏区域沉积的源漏电极。
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