[发明专利]一种用于ESD保护的双向SCR结构在审
| 申请号： | 201611077362.6 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106783942A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 蔡小五;魏俊秀;高哲;梁超;刘兴辉;翟丽蓉;吕川;闫明 | 申请（专利权）人： | 辽宁大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861 |
| 代理公司： | 沈阳杰克知识产权代理有限公司21207 | 代理人： | 郑贤明 |
| 地址： | 110000 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种用于ESD保护的双向SCR结构，在P型衬底中间上部设有DNW阱；所述的DNW阱里形成PWell阱和NWell阱，PWell阱上设有第一P+注入区和第一N+注入区；所述的P型衬底的一侧上部设有第二P+注入区和第二N+注入区，另一侧上部设有第三P+注入区和第三N+注入区。本发明解决了现有技术中存在的实现双向ESD保护器件时，需要在一般的SCR器件的基础上，设置寄生二极管或者并联一个二极管来完成，并联一个二极管会增大版图面积的问题。双向SCR结构提供了一种工作状态稳定，使用性能好，且能够节省版图面积的ESD保护结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 esd 保护 双向 scr 结构 | ||
【主权项】：
一种用于ESD保护的双向SCR结构，包括有P型衬底（1），其特征在于：在P型衬底（1）中间上部设有DNW阱（2）；所述的DNW阱（2）里形成PWell阱（3）和NWell阱（4），PWell阱（3）上设有第一P+注入区（5）和第一N+注入区（6）；所述的P型衬底（1）的一侧上部设有第二P+注入区（7）和第二N+注入区（8），另一侧上部设有第三P+注入区（9）和第三N+注入区（10）。
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