[发明专利]等离子体蚀刻方法有效
| 申请号： | 201611078504.0 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106992121B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 高山航;富永翔;五十岚義树 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L27/11556;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种将在氧化硅膜与氮化硅膜之间的界面产生的台阶去除的等离子体蚀刻方法。该等离子体蚀刻方法包括如下工序：第1工序，在该第1工序中，使用第1高频电源所输出的第1高频电力而从含有含氟气体的第1处理气体生成等离子体，利用所生成的等离子体对氧化硅膜与氮化硅膜的层叠膜进行蚀刻；第2工序，其在所述第1工序之后，在该第2工序中，使用所述第1高频电力而从含有含溴气体的第2处理气体生成等离子体，利用所生成的等离子体对所述层叠膜进行蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
一种等离子体蚀刻方法，其包括如下工序：第1工序，在该第1工序中，使用第1高频电源所输出的第1高频电力而从含有含氟气体的第1处理气体生成等离子体，利用所生成的等离子体对氧化硅膜与氮化硅膜的层叠膜进行蚀刻；第2工序，其在所述第1工序之后，在该第2工序中，使用所述第1高频电力而从含有含溴气体的第2处理气体生成等离子体，利用所生成的等离子体对所述层叠膜进行蚀刻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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