[发明专利]一种等离子体轰击制备金属网络透明导电电极的方法有效

专利信息
申请号: 201611079802.1 申请日: 2016-11-30
公开(公告)号: CN106782879B 公开(公告)日: 2019-03-22
发明(设计)人: 高进伟;魏巍;韩兵;史碧波;高修俊;李松茹;冼志科 申请(专利权)人: 华南师范大学
主分类号: H01B13/00 分类号: H01B13/00;B82Y40/00
代理公司: 广州知友专利商标代理有限公司 44104 代理人: 宣国华;刘艳丽
地址: 510006 广东省广州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种等离子体轰击制备金属网络透明导电电极的方法,包括以下步骤:(1)衬底涂布光刻胶;(2)光刻胶固定;(3)制作龟裂模板网络;(4)等离子体轰击光刻胶成网;(5)纳米金属网络形成;(6)去除光刻胶;(7)粘附性处理。该方法制备的透明导电电极具有投入低,产率较高,工艺简单,造价低廉,易于卷对卷工业化生产等优点,同时电极导电性较好,透明率高,可替代或者部分替代ITO导电玻璃。
搜索关键词: 一种 低成本 等离子体 轰击 制备 金属 网络 透明 导电 电极 方法
【主权项】:
1.一种等离子体轰击制备金属网络透明导电电极的方法,其特征是包括以下步骤:(1)衬底涂布光刻胶:选择清洁透明衬底,涂布光刻胶,并控制光刻胶的厚度;(2)光刻胶固定:对衬底加热保温后进行紫外曝光处理,将光刻胶固化,形成光刻胶薄膜;(3)制作龟裂模板:配制溶胶状态的龟裂液,将龟裂液设置在固化后的光刻胶薄膜上形成龟裂液薄膜,加热并控制温度和保温时间,使龟裂液薄膜自然龟裂形成龟裂模板;(4)等离子体成网:采用等离子体轰击龟裂模板,去除龟裂模板裂缝中的光刻胶,控制等离子体的轰击时间和温度,在光刻胶薄膜上形成龟裂裂缝网络,用去离子水处理样品表面,去除龟裂模板及裂缝处的光刻胶残余;(5)纳米金属网络形成:将悬浮纳米金属颗粒液体填入龟裂裂缝网络形成纳米金属网络,退火形成稳定线状网络;(6)去除光刻胶:将衬底置于光刻胶清洗液中,去除光刻胶,剩余纳米金属网络;(7)粘附性处理:在纳米金属网络表面喷涂UV胶,风干,调整纳米金属网络的平整度和厚度,随后进行紫外光曝光,形成附着力强的金属网络透明导电电极。
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