[发明专利]一种用于DRAM或eDRAM刷新的装置及其方法有效
| 申请号： | 201611080414.5 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106856098B | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 张士锦;罗韬;刘少礼;陈云霁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院计算技术研究所 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 祁建国;许志影 |
| 地址： | 100080 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于DRAM或eDRAM刷新的装置及其方法，DRAM或eDRAM设置有存储单元，该装置包括：存储控制装置、刷新控制装置；所述存储控制装置，用于接收读写请求，并根据所述刷新控制装置的输出决定向存储单元发送读写请求或刷新请求；所述刷新控制装置，用于控制生成刷新信号，并根据所述存储控制装置的输出来记录刷新是否被延迟和读写的行地址。本发明能够减少读写与刷新之间的冲突，达到增加DRAM或者eDRAM性能的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 dram edram 刷新 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种用于DRAM或eDRAM刷新的装置，DRAM或eDRAM设置有存储单元，其特征在于，该装置包括：存储控制装置、刷新控制装置；所述存储控制装置，用于接收读写请求，并根据所述刷新控制装置的输出决定向存储单元发送读写请求或刷新请求；所述刷新控制装置，用于控制生成刷新信号，并根据所述存储控制装置的输出来记录刷新是否被延迟和读写的行地址。
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