[发明专利]一种在硅基底上制备横向圆形微同轴金属结构的方法

摘要

本发明公开一种在硅基底上制备横向圆形金属微同轴结构的方法，首先在硅基底上涂覆PDMS做释放层，在释放层上生长金属种子层；分别制备SU‑8胶膜作为内导体的支撑体和KMPR光刻胶胶膜作为内外金属导体结构的胶膜结构；微电铸和去除KMPR胶膜结构，即可获得纵向金属微同轴结构；将纵向金属微同轴结构从硅基片上分离；最后将纵向金属微同轴结构横向键合到硅基片上，即获得纵向圆形微同轴金属结构。本发明利用释放层、UV‑LIGA光刻和键合等技术获得横向向圆形微同轴金属结构，解决了现有微米级同轴结构制备中横向圆柱结构难以实现的难题。

主权项

一种在硅基底上制备横向圆形微同轴金属结构的方法，其特征在于，该方法具体包括以下步骤：首先在硅基底上制备金属种子层，在硅基底上涂覆一层30nm厚的PDMS薄膜做释放层，在PDMS薄膜上真空溅射一层厚度约为30nm的金属层，在金属层上涂覆一层厚度约为50nm的RZJ‑304正光刻胶，将涂覆RZJ‑304正性光刻胶的硅基片置于刻有图案1、玻璃材质、厚度为3mm的镀铬1号掩膜版下，使用波长约为365纳米的紫外光曝光；将硅基片浸没在TMAH显影液中显影并去除曝光时遮光的正光刻胶，获得所需金属种子层；其次制备内导体的SU‑8胶膜支撑体，即在金属种子层上涂覆一层500um厚的SU‑8负性光刻胶，将涂覆SU‑8负性光刻胶的硅基片在2号掩膜版下用紫外光进行曝光并对其显影，获得同轴微结构的SU‑8胶膜支撑体；然后制备微同轴的金属内外导体的胶膜结构，在基片上涂覆一层500um厚的KMPR负性光刻胶，在3号掩膜版下用紫外光进行曝光，将曝光后的胶膜基片在显影液内显影获得微同轴金属内外导体的胶膜结构；然后对胶膜结构进行微电铸，铸层为500um，获得带胶膜的金属微结构，去除微结构内的KMPR胶膜，即获得纵向的金属微同轴结构；最后将微同轴金属结构在无尘手套箱内从硅基片上分离，将纵向金属微同轴结构横向键合到硅基片上，即获得横向圆形微同轴金属结构。