[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201611082510.3 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN108122842A | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供衬底，所述衬底包括外围区和核心区，外围区的衬底上具有第一鳍部，核心区的衬底上具有第二鳍部；在所述衬底表面形成隔离层，所述隔离层的表面低于所述第一鳍部和第二鳍部的顶部表面，且所述隔离层覆盖所述第一鳍部和第二鳍部的部分侧壁表面；采用氧化工艺在所述第一鳍部的侧壁和顶部表面形成第一氧化层；在所述第一氧化层表面以及第二鳍部侧壁和顶部表面形成第二氧化层。所形成的半导体结构形貌良好、性能稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍部 衬底 半导体结构 顶部表面 隔离层 核心区 外围区 氧化层 侧壁 形貌 氧化层表面 侧壁表面 衬底表面 氧化工艺 覆盖 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括外围区和核心区，外围区的衬底上具有第一鳍部，核心区的衬底上具有第二鳍部；在所述衬底表面形成隔离层，所述隔离层的表面低于所述第一鳍部和第二鳍部的顶部表面，且所述隔离层覆盖所述第一鳍部和第二鳍部的部分侧壁表面；采用氧化工艺在所述第一鳍部的侧壁和顶部表面形成第一氧化层；在所述第一氧化层表面以及第二鳍部侧壁和顶部形成第二氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
