[发明专利]一种高导电石墨烯/铜基层状复合材料及其制备方法在审
申请号: | 201611082597.4 | 申请日: | 2016-11-30 |
公开(公告)号: | CN106584976A | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
发明(设计)人: | 熊定邦;曹沐;谭占秋;范根莲;李志强;张荻 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | B32B15/01 | 分类号: | B32B15/01;B32B15/20;B32B7/08;B32B33/00;B32B37/06;B32B37/10;C23C16/26 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司31236 | 代理人: | 郭国中 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开一种高导电石墨烯/铜基层状复合材料及制备方法,其特征在于,所述的复合材料由CVD石墨烯与板状铜基底交替复合构成层状结构,层内厚度方向为单晶态,且具有(111)晶面高度取向。所述方法为(1)通过化学气相沉积(CVD)技术在板状铜基底上下表面生长石墨烯并诱导铜基底沿(111)择优取向,制备得到三明治状的石墨烯包覆铜基底;(2)将多片石墨烯包覆铜基底通过热压烧结致密化构成高导电石墨烯/铜基层状复合材料。本发明所制得的层状复合材料电导率高,传导水平高于纯银,且易于生产,可用作各种类型的传导材料。 | ||
搜索关键词: | 一种 导电 石墨 基层 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种高导电石墨烯/铜基层状复合材料,其特征在于:所述复合材料包括板状铜基底以及石墨烯,所述石墨烯与铜基底交替复合构成层状结构,层内厚度方向铜基底为单晶态,且表现为高度取向(111)晶面,层内水平方向铜基底为单晶或多晶态。
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