[发明专利]一种高导电石墨烯/铜基层状复合材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201611082597.4 申请日: 2016-11-30
公开(公告)号: CN106584976A 公开(公告)日: 2017-04-26
发明(设计)人: 熊定邦;曹沐;谭占秋;范根莲;李志强;张荻 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: B32B15/01 分类号: B32B15/01;B32B15/20;B32B7/08;B32B33/00;B32B37/06;B32B37/10;C23C16/26
代理公司: 上海汉声知识产权代理有限公司31236 代理人: 郭国中
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开一种高导电石墨烯/铜基层状复合材料及制备方法,其特征在于,所述的复合材料由CVD石墨烯与板状铜基底交替复合构成层状结构,层内厚度方向为单晶态,且具有(111)晶面高度取向。所述方法为(1)通过化学气相沉积(CVD)技术在板状铜基底上下表面生长石墨烯并诱导铜基底沿(111)择优取向,制备得到三明治状的石墨烯包覆铜基底;(2)将多片石墨烯包覆铜基底通过热压烧结致密化构成高导电石墨烯/铜基层状复合材料。本发明所制得的层状复合材料电导率高,传导水平高于纯银,且易于生产,可用作各种类型的传导材料。
搜索关键词: 一种 导电 石墨 基层 复合材料 及其 制备 方法
【主权项】:
一种高导电石墨烯/铜基层状复合材料,其特征在于:所述复合材料包括板状铜基底以及石墨烯,所述石墨烯与铜基底交替复合构成层状结构,层内厚度方向铜基底为单晶态,且表现为高度取向(111)晶面,层内水平方向铜基底为单晶或多晶态。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学,未经上海交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611082597.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top