[发明专利]一种基于前层图形判别的离子注入层边界的光学临近修正方法

摘要

本发明提供了一种基于前层图形判别的离子注入层边界的OPC修正方法，对落在浅沟槽隔离区上的离子注入层边界进行优化修正，满足生产所需的精度要求。通过将离子注入层边界移动到冗余填充图形上或者向器件图形靠拢的操作，消除了来自多晶硅及底部衬底反射的影响，并且由于浅沟槽隔离区上的离子注入是无效的，所以本发明仍然满足设计规则要求，同时又有效地降低了离子注入层光刻胶脱落的风险，提高了产品的良率。

主权项

一种基于前层图形判别的离子注入层边界的OPC修正方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：根据离子注入层版图图形，选定离子注入层落在浅沟槽隔离区内的边界；步骤S02：在所述离子注入层的区域中，找到最接近所述边界的前层图形；步骤S03：判定所述前层图形的种类，所述前层图形的种类包括冗余填充图形和非冗余填充图形两类，若所述前层图形为冗余填充图形，则将所述边界移动到所述冗余填充图形上，以对所述边界进行基于模型的OPC修正；若所述前层图形为非冗余填充图形，则执行步骤S04；步骤S04：若所述的前层图形为非冗余填充图形，则将所述边界向所述非冗余填充图形靠拢，且与非冗余填充图形的最小距离不违反预设值，以对所述边界进行基于模型的OPC修正。