[发明专利]一种采用化学纳米掺杂技术制备高耐电晕薄膜的方法

摘要

一种采用化学纳米掺杂技术制备高耐电晕薄膜的方法，涉及一种高耐电晕薄膜制备方法。本发明要解决聚合物的高度对称性，纳米材料不利于在其中的分散问题。本发明方法将氨基硅氧烷和甲基三乙氧基硅混合，水解处理后缩聚反应，加入偏苯三酸酐，加热，自然降温，得产物一；在强力搅拌、超声、加热的条件下，将水缓慢地滴加到异丙醇铝的甲苯溶液，得产物二；将产物一与产物二混合，加入脱水剂，加热，自然降温后室温下陈化；然后分散到N,N'‑二甲基乙酰胺中，加入4,4'‑二氨基二苯醚，混匀，分批加均苯四甲酸二酐，室温下加入脱水剂，加热，降至室温后流延成膜，梯度升温后退火处理。本方法可用于高电晕聚酰亚胺薄膜的制备。

主权项

一种采用化学纳米掺杂技术制备耐电晕薄膜的方法，其特征在于该方法是按下述步骤进行的:步骤a、将氨基硅氧烷和甲基三乙氧基硅(MTES)混合，进行水解处理后缩聚反应，加入偏苯三酸酐(TMA)，加热反应，自然降温，得到产物一；步骤b、在强力搅拌、超声、加热的条件下，将水缓慢地滴加到异丙醇铝(AIP)的甲苯溶液，得到产物二；步骤c、将产物一与产物二混合，加入脱水剂，加热反应，自然降温后室温下陈化，得到硅/铝预聚物溶胶；步骤d、在10～20℃温度下，将步骤c获得的硅/铝预聚物溶胶分散到N,N'‑二甲基乙酰胺中，加入4,4'‑二氨基二苯醚，混匀，分批次加入均苯四甲酸二酐，反应结束后室温下加入脱水剂，加热反应，降至室温得到成膜液；步骤e、流延成膜，梯度升温后退火处理，得到耐电晕薄膜；其中，步骤a中所述氨基硅氧烷为氨丙基三乙氧基硅烷、氨乙基三甲氧基硅烷或者氨丙基三甲氧基硅。