[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201611087672.6 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106847876B | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 宋升炫;金润硕;张圭伯;权义熙;金曜澖;金宗哲;郑椙旭 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：鳍型图案，沿第一方向延伸；器件隔离膜，围绕鳍型图案的同时暴露鳍型图案的上部；栅电极，在器件隔离膜和鳍型图案上沿与第一方向相交的第二方向延伸；栅极隔离膜，将栅电极沿第二方向隔离开，并包括第一材料；层间绝缘膜，在所述器件隔离膜上，填充鳍型图案的侧表面并包括不同于第一材料的第二材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，所述半导体器件包括：鳍型图案，沿第一方向延伸；器件隔离膜，围绕鳍型图案并暴露鳍型图案的上部；栅电极，在器件隔离膜和鳍型图案上沿与第一方向相交的第二方向延伸；栅极隔离膜，将栅电极的部分沿第二方向隔离开并包括第一材料；以及层间绝缘膜，在所述器件隔离膜上，在栅电极的侧表面上并包括与第一材料不同的第二材料。
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