[发明专利]硅基高速双载波双偏振调制器集成芯片有效

专利信息
申请号: 201611088806.6 申请日: 2016-11-30
公开(公告)号: CN106788765B 公开(公告)日: 2019-05-14
发明(设计)人: 李明;唐健;刘宇;袁海庆;祝宁华 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H04B10/516 分类号: H04B10/516;H04B10/54
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种硅基高速双载波双偏振调制器集成芯片,该硅基高速双载波双偏振调制器集成芯片包括:2个单模垂直耦合光栅,2个调制模块,1个2×1多模干涉耦合器,1个双模垂直耦合光栅。该硅基高速双载波双偏振调制器集成芯片能够双波长、双偏振态工作,将偏振复用与波分复用相结合,实现复杂格式调制,提高数据调制速率。该硅基高速双载波双偏振调制器集成芯片可实现双偏振16进制正交幅度调制,满足下一代光通信系统要求的高阶格式调制,调制速率可达到甚至超过400Gbit/s。
搜索关键词: 高速 载波 偏振 调制器 集成 芯片
【主权项】:
1.一种硅基高速双载波双偏振调制器集成芯片,其特征在于,包括第一单模垂直耦合光栅(1a)、第一调制模块(1)、第二单模垂直耦合光栅(1b)、第二调制模块(2)、2×1多模干涉耦合器(7)和双模垂直耦合光栅(8),其中:第一单模垂直耦合光栅(1a)接收外部输入的激光光束a,将激光光束a耦合入第一调制模块(1),第一调制模块(1)对激光光束a进行移相、强度调制和模式转换处理后输出给2×1多模干涉耦合器(7);第二单模垂直耦合光栅(1b)接收外部输入的激光光束b,将激光光束b耦合入第二调制模块(2),第二调制模块(2)对激光光束b进行移相、强度调制和模式转换处理后输出给2×1多模干涉耦合器(7);其中激光光束a与激光光束b是两束波长不同的激光;2×1多模干涉耦合器(7)将接收的两束激光耦合为一束激光,然后送入双模垂直耦合光栅(8),双模垂直耦合光栅(8)将不同模式的光同时耦合入多模光纤。
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