[发明专利]电阻转换存储器元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201611089406.7 | 申请日： | 2016-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN108134008B | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 曾柏皓;李峰旻 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电阻转换存储器元件及其制造方法。电阻转换存储器元件包括一绝缘层具有一上表面、一底电极埋置于绝缘层中、一电阻转换层设置于底电极上，和一顶电极形成于电阻转换层上且顶电极覆盖电阻转换层。再者，底电极的一上部突出于绝缘层的上表面，且上部的边缘具有圆滑转角。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 转换 存储器 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种电阻转换存储器元件，包括：一绝缘层具有一上表面；一底电极，埋置于该绝缘层中，该底电极的一上部突出于该绝缘层的该上表面且该上部的边缘具有圆滑转角；一电阻转换层，设置于该底电极上；和一顶电极，形成于该电阻转换层上并覆盖该电阻转换层。
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