[发明专利]一种高电子迁移率晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201611090387.X | 申请日： | 2016-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN106783996A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 关赫;杜永乾;张双喜 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 西安利泽明知识产权代理有限公司61222 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 710072 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明属于微电子技术领域，特别是涉及一种高电子迁移率晶体管及其制备方法。具体包括了n型GaAs衬底(1)、厚度为150nm的GaAs外延层(2)、厚度为600nm的AlGaSb缓冲层(3)、厚度为70nm的下层AlSb势垒层(4)、厚度为12nm的InAs沟道层(5)、厚度为5nm的上层AlSb势垒层(6)、厚度为6nm的InAlAs空穴阻挡层(7)、厚度为4nm的InAs帽层(8)、HfO2栅介质层(9)以及金属层(10)，解决了现有技术中将Si掺杂于GaSb和AlSb中时则会出现p型特性的技术问题，本发明进一步解决的技术问题是现有技术中因没有介质层的设置，或介质层的缺陷而造成高电子迁移率晶体管漏电及不稳定的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子 迁移率 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高电子迁移率晶体管，其特征在于：该晶体管包括n型GaAs衬底(1)、厚度为150nm的GaAs外延层(2)、厚度为600nm的AlGaSb缓冲层(3)、厚度为70nm的下层AlSb势垒层(4)、厚度为12nm的InAs沟道层(5)、厚度为5nm的上层AlSb势垒层(6)、厚度为6nm的InAlAs空穴阻挡层(7)、厚度为4nm的InAs帽层(8)、HfO2栅介质层(9)以及金属层(10)，所述高电子迁移率晶体管的结构自下至上排列依次是n型GaAs衬底(1)、厚度为150nm的GaAs外延层(2)、厚度为600nm的AlGaSb缓冲层(3)、厚度为70nm的下层AlSb势垒层(4)、厚度为12nm的InAs沟道层(5)、厚度为5nm的上层AlSb势垒层(6)、厚度为6nm的InAlAs空穴阻挡层(7)、厚度为4nm的InAs帽层(8)、HfO2栅介质层(9)、金属层(10)。
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