[发明专利]一种绝缘栅双极晶体管在审
| 申请号： | 201611090866.1 | 申请日： | 2016-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN106783946A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 陆江 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种绝缘栅双极晶体管，包括衬底；位于衬底的栅极、发射极和集电极；其中，所述集电极和所述发射极分别位于所述衬底的两端；所述栅极包括窄部和展宽部，所述展宽部位于所述栅极靠近所述集电极一侧；超结结构，位于所述衬底上靠近所述集电极一侧，以在所述晶体管关断时，通过所述超结结构耗尽堆积在所述集电极侧的过剩载流子。用以解决现有技术中的绝缘栅双极晶体管器件，存在的未耗尽区域的载流子排出慢，故关断速度慢的技术问题。实现了有效缩短拖尾电流时间，减小关断时间的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 双极晶体管 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅双极晶体管，其特征在于，包括：衬底；位于衬底的栅极、发射极和集电极；其中，所述集电极和所述发射极分别位于所述衬底的两端；所述栅极包括窄部和展宽部，所述展宽部位于所述栅极靠近所述集电极一侧；超结结构，位于所述衬底上靠近所述集电极一侧，以在所述晶体管关断时，通过所述超结结构耗尽堆积在所述集电极侧的过剩载流子。
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