[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201611092196.7 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106887248A | 公开（公告）日： | 2017-06-23 |
| 发明（设计）人： | 藤原英弘;陈炎辉;廖宏仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/412 | 分类号： | G11C11/412;G11C11/417 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体装置。在一些实施例中，一种半导体装置包含SRAM单元、仿真器及抑制装置。由字线启用的所述SRAM单元包含由第一PMOS晶体管及第一NMOS晶体管形成的第一反相器且在所述第一反相器的输出处存储第一数据。所述仿真器经配置以仿真按照所述PMOS晶体管在驱动强度方面弱于所述第一NMOS晶体管的条件操作的所述第一反相器。所述抑制装置经配置以响应于所述仿真器的输出处的电压而选择性地抑制所述字线的电压电平。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其包括：由字线启用的SRAM单元，其包含由第一PMOS晶体管及第一NMOS晶体管形成的第一反相器且在所述第一反相器的输出处存储第一数据；仿真器，其经配置以仿真按照所述第一PMOS晶体管在驱动强度方面弱于所述第一NMOS晶体管的条件操作的所述第一反相器；及抑制装置，其经配置以响应于所述仿真器的输出处的电压而选择性地抑制所述字线的电压电平。
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