[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明的一些实施例提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：第一晶体管，被配置为包括第一阈值电压水平。该第一晶体管包括栅极结构。该栅极结构包括：包括第一导电类型的第一部件。第二晶体管被配置为包括与第一阈值电压水平不同的第二阈值电压水平。该第二晶体管包括栅极结构。该栅极结构包括：包括第一导电类型的第二部件。至少一个额外部件设置在第二部件上方。该至少一个额外部件包括与第一导电类型相反的第二导电类型。连接第一晶体管和第二晶体管以通过第一阈值电压水平和第二阈值电压水平之间的期望电压差确定至少一个额外部件的数量。本发明还提供了另一种半导体器件和一种制造半导体器件的方法。

主权项

一种半导体器件，包括：第一晶体管，被配置为包括第一阈值电压水平，所述第一晶体管包括栅极结构，所述栅极结构包括：包括第一导电类型的第一部件；第二晶体管，被配置为包括不同于所述第一阈值电压水平的第二阈值电压水平，所述第二晶体管包括栅极结构，所述栅极结构包括：包括所述第一导电类型的第二部件；至少一个额外部件，设置在所述第二部件上方，其中，所述至少一个额外部件包括与所述第一导电类型相反的第二导电类型，并且所述第一晶体管和所述第二晶体管被连接，使得通过所述第一阈值电压水平与所述第二阈值电压水平之间的期望电压差确定所述至少一个额外部件的数量。