[发明专利]一种锗硅源漏极及制备方法在审
| 申请号： | 201611093086.2 | 申请日： | 2016-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN106783965A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 黄秋铭;谭俊;颜强 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种锗硅源漏极及制备方法，该方法包括在单晶硅基体上制备好栅极及掩膜层；其中，单晶硅基体为含单晶硅半导体材料构成的衬底；图案化蚀刻半导体单晶硅基体形成凹陷；在半导体单晶硅基体的凹陷内外延生长锗硅种子层及主体层；采用混合性气体对所述锗硅种子层及主体层进行晶面处理；在锗硅种子层及主体层上外延生长晶格变层；在晶格变层上外延生长盖帽层。因此，本发明能够显著改善不完整的∑结构(Un‑tuck)区域结构中锗硅层的形貌，有利于后续金属硅化物(NiSi)的形成，从而能够有效避免电阻异常及有源区泄露(AA leakage)等的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 锗硅源漏极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种锗硅源漏极，其特征在于，包括：半导体单晶硅基体，其具有制备好栅极及掩膜层和通过图案化蚀刻所述半导体单晶硅基体形成的凹陷；锗硅种子层及主体层，外延生于所述半导体单晶硅基体上表面的所述凹陷中，且所述锗硅种子层及主体层经过混合性气体的晶面处理；所述气体包括SiH4、SiH2Cl2、HCL、H2、B2H6和GeH4；晶格变层，外延生于所述锗硅种子层及主体层的上表面，且位于所述凹陷中或所述凹陷的上表面；以及盖帽层，外延生长在晶格变层及主体层上。
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