[发明专利]光刻掩模板有效
| 申请号： | 201611093543.8 | 申请日： | 2016-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN108132579B | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 陈墨;李群庆;张立辉;金元浩;安东;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/22 | 分类号： | G03F1/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种光刻掩模板，其包括：一基板；一图案化铬层，所述图案化铬层覆盖于所述基板的表面；一碳纳米管层，所述碳纳米管层设置于所述图案化铬层远离基板的表面，且所述碳纳米管层中碳纳米管的排列图案与所述图案化铬层的图案相同；一遮盖层，所述遮盖层覆盖于所述碳纳米管层远离基板的表面。本发明还涉及采用光刻掩模板制备微纳米结构的方法以及制备光刻掩模板的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 模板 | ||
【主权项】：
一种光刻掩模板，其特征在于，其包括：一基板；一图案化铬层，所述图案化铬层覆盖于所述基板的表面；一碳纳米管层，所述碳纳米管层设置于所述图案化铬层远离基板的表面，且所述碳纳米管层中碳纳米管的排列图案与所述图案化铬层的图案相同；一遮盖层，所述遮盖层覆盖于所述碳纳米管层远离基板的表面。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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