[发明专利]半导体装置用部件、半导体装置以及它们的制造方法有效

专利信息
申请号: 201611093776.8 申请日: 2016-12-01
公开(公告)号: CN106997874B 公开(公告)日: 2022-04-29
发明(设计)人: 佐野真二;小平悦宏;早乙女全纪;大西一永 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L23/498;H01L21/48;H01L21/60
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 孙昌浩;李盛泉
地址: 日本神奈*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供半导体装置用部件、半导体装置以及它们的制造方法。提供能够在不增加制造成本的情况下抑制在焊料接合部产生大量空隙的半导体装置用部件的制造方法。上述半导体装置用部件的制造方法包括:准备具备能够用焊接接合的金属部的第一部件的工序;以及在第一部件的金属部的表面涂布处理剂,形成在焊料的固相线温度以下的温度气化的处理被膜的工序。
搜索关键词: 半导体 装置 部件 以及 它们 制造 方法
【主权项】:
一种半导体装置用部件的制造方法,其特征在于,是具有具备金属部的第一部件,且能够用焊料将所述金属部与第二部件接合的半导体装置用部件的制造方法,包括:准备所述第一部件的工序;以及在所述金属部的表面涂布处理剂,形成在所述焊料的固相线温度以下的温度气化的处理被膜的工序。
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