[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201611094070.3 | 申请日： | 2016-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN108155242A | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 锺明宗;高金字 | 申请（专利权）人： | 中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜晶体管及其制造方法。薄膜晶体管的制造方法包括下列步骤：提供基板、第一导电图案、第二导电图案及第一光阻图案，第一导电图案、第二导电图案及第一光阻图案依序堆叠在基板上；以第一光阻图案为掩模，图案化第二导电图案，以使第二导电图案具有通孔，所述通孔暴露第一导电图案的部分表面，所述第一导电图案的所述部分表面与定义所述通孔的所述第二导电图案的侧壁形成第一凹陷；形成绝缘层，以覆盖第二导电图案与第一凹陷；在绝缘层上形成与第一凹陷重叠的半导体图案；以及形成分别与半导体图案的两侧电连接的源极与漏极。本发明的制造方法能提高薄膜晶体管的开启电流值，且本发明的薄膜晶体管具高开启电流值。 | ||
| 搜索关键词： | 导电图案 薄膜晶体管 光阻图案 凹陷 通孔 绝缘层 半导体图案 开启电流 制造 基板 依序堆叠 电连接 图案化 侧壁 漏极 掩模 源极 暴露 覆盖 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供基板、第一导电图案、第二导电图案及第一光阻图案，所述第一导电图案、所述第二导电图案及所述第一光阻图案依序堆叠在所述基板上；以所述第一光阻图案为掩模，图案化第二导电图案，以使所述第二导电图案具有通孔，所述通孔暴露所述第一导电图案的部分表面，所述第一导电图案的所述部分表面与定义所述通孔的所述第二导电图案的侧壁形成第一凹陷；形成绝缘层，以覆盖所述第二导电图案与所述第一凹陷；在所述绝缘层上形成与所述第一凹陷重叠的半导体图案；以及形成源极与漏极，所述源极与所述漏极分别与所述半导体图案的两侧电连接。
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