[发明专利]一种抗总剂量辐射加固的Z栅MOS晶体管有效
| 申请号： | 201611094580.0 | 申请日： | 2016-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN106601788B | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 王颖;朴巍;刘军;孙玲玲 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/772 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 杜军 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抗总剂量辐射加固的Z栅MOS晶体管，其源区、漏区和栅极分布在一个有源区之内；所述栅极呈字母“Z”字形且将有源区分隔成源区和漏区；所述源区和漏区之间没有相交区域且被“Z”字形栅极半包围；栅极下是栅氧化层结构，且栅氧化层厚度小于12nm。本发明的结构通过引入额外的Z形栅，使得场氧结构仅与有源区中的漏区或者源区之一相邻，无法形成完整的电流路径，因而消除了边缘寄生漏电路径，实现了抗总剂量辐射加固的目的。本发明的结构在有效消除由总剂量效应引起的寄生漏电的同时，与传统加固结构相比，能实现更小的宽长比MOS晶体管，且栅电容更小，驱动电流更大，占版图面积更小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 剂量 辐射 加固 mos 晶体管 | ||
【主权项】：
一种抗总剂量辐射加固的Z栅MOS晶体管，其特征在于：源区、漏区和栅极分布在一个有源区之内；所述栅极呈字母“Z”字形且将有源区分隔成源区和漏区；所述源区和漏区之间没有相交区域且被“Z”字形栅极半包围；栅极下是栅氧化层结构，且栅氧化层厚度小于12nm。
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