[发明专利]一种高纯钨表面生成WC方法有效

专利信息
申请号: 201611094988.8 申请日: 2016-12-02
公开(公告)号: CN106591772B 公开(公告)日: 2020-04-28
发明(设计)人: 杨银;闫晓东 申请(专利权)人: 北京有色金属研究总院
主分类号: C23C8/64 分类号: C23C8/64
代理公司: 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 代理人: 朱琨
地址: 100088 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了属于化学热处理技术领域的一种高纯钨表面生成WC方法。具体方法为:准备高纯钨零件和渗碳剂,高纯钨零件表面处理后与渗碳剂装炉进行渗碳处理,采用高真空渗碳,真空度要求<10‑2Pa,渗碳温度为1600~1800℃,保温3‑4h,然后再通入约1000Pa高纯氩气炉冷到室温取出,最后进行检验。本发明的方法能够在高纯钨表面生成7‑15μm的WC化合物,有效提高了金属钨的耐蚀性。
搜索关键词: 一种 高纯 表面 生成 wc 方法
【主权项】:
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