[发明专利]一种高纯钨表面生成WC方法有效
申请号: | 201611094988.8 | 申请日: | 2016-12-02 |
公开(公告)号: | CN106591772B | 公开(公告)日: | 2020-04-28 |
发明(设计)人: | 杨银;闫晓东 | 申请(专利权)人: | 北京有色金属研究总院 |
主分类号: | C23C8/64 | 分类号: | C23C8/64 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人: | 朱琨 |
地址: | 100088 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: |
本发明公开了属于化学热处理技术领域的一种高纯钨表面生成WC方法。具体方法为:准备高纯钨零件和渗碳剂,高纯钨零件表面处理后与渗碳剂装炉进行渗碳处理,采用高真空渗碳,真空度要求<10 |
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搜索关键词: | 一种 高纯 表面 生成 wc 方法 | ||
【主权项】:
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