[发明专利]一种利用紫外激光处理钙钛矿太阳能电池中电子传输层的方法在审

专利信息
申请号: 201611094991.X 申请日: 2016-12-02
公开(公告)号: CN106935704A 公开(公告)日: 2017-07-07
发明(设计)人: 夏锐;董伟伟;王时茂;方晓东;邵景珍 申请(专利权)人: 中国科学院合肥物质科学研究院
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/48
代理公司: 北京科迪生专利代理有限责任公司11251 代理人: 杨学明,顾炜
地址: 230031 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种利用紫外激光处理钙钛矿太阳能电池中电子传输层的方法,采用的衬底可选择硬性衬底如氧化铟锡(ITO),掺氟氧化锡(FTO),柔性衬底如聚酰亚胺(PI)及聚对萘二乙酸乙二醇酯(PEN)等。电子传输层可选择氧化锌(ZnO)、氧化钛(TiO2)、Al掺杂的ZnO(AZO)、Ga掺杂的ZnO(GZO)、氧化锡(SnO2)等薄膜,其制备方法可采用磁控溅射法,旋涂法。激光退火处理使用包括308纳米、248纳米、355纳米等紫外激光。处理后的薄膜光学和电学性能得到改善,将其作为电子传输层运用在钙钛矿太阳能电池中,可有效降低提高电子传输层的处理温度,提高电池的光电转换效率。
搜索关键词: 一种 利用 紫外 激光 处理 钙钛矿 太阳能电池 电子 传输 方法
【主权项】:
一种利用紫外激光处理钙钛矿太阳能电池中电子传输层的方法,其特征在于实现步骤如下:(1)将FTO/ITO玻璃衬底、PI/PEN柔性衬底依次在丙酮、无水乙醇、去离子水中超声清洗,吹干备用;(2)在FTO/ITO玻璃衬底、PI/PEN柔性衬底上使用磁控溅射法或旋涂法制备ZnO、AZO、GZO、TiO2及SnO2薄膜,真空保存备用;(3)使用紫外激光对制备的薄膜进行脉冲轰击处理;(4)将步骤(3)处理后的薄膜作为电子传输层,运用在钙钛矿太阳能电池中。
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