[发明专利]InP阻变存储材料的制备方法和应用有效
| 申请号： | 201611095501.8 | 申请日： | 2016-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN106601906B | 公开（公告）日： | 2019-08-20 |
| 发明（设计）人： | 赵鸿滨;屠海令;魏峰;杨志民;张国成 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 朱琨 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种InP阻变存储材料的制备方法和应用，属于微电子制造技术领域。所述制备方法包括以下步骤：1)将单晶InP片作为靶材装入脉冲激光设备腔体内；2)将表面沉积有电极的基片装入脉冲激光设备腔体内；3)将脉冲激光设备腔体内抽真空；4)加热基片；5)利用脉冲激光沉积的方法在基片上沉积InP薄膜；6)将沉积了InP薄膜的基片在真空条件下600～800℃退火，冷却后得到InP阻变存储材料。InP阻变存储材料具有良好存储特性，基于该存储材料制备的阻变存储器具有存储窗口宽，数据保持时间长，耐久性高的特点。 | ||
| 搜索关键词： | inp 存储 材料 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.InP阻变存储材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将单晶InP片作为靶材装入脉冲激光设备腔体内；(2)将表面沉积有电极的基片装入脉冲激光设备腔体内；(3)将脉冲激光设备腔体内抽真空，真空度为5×10‑8Pa；(4)将基片加热至350～450℃；(5)利用脉冲激光沉积的方法在基片上沉积InP薄膜；所述脉冲激光沉积参数为：靶材与基片的间距为6～8cm，激光的工作频率1～5Hz，能力密度为1～3J/cm2；所得InP薄膜的厚度为10～65nm；(6)将沉积了InP薄膜的基片真空条件下进行快速热退火处理，得到InP阻变存储材料。
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