[发明专利]原料气体供给装置和原料气体供给方法有效
申请号: | 201611095814.3 | 申请日: | 2016-12-02 |
公开(公告)号: | CN106987824B | 公开(公告)日: | 2019-09-03 |
发明(设计)人: | 八木宏宪;诸井政幸 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/52 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明在将包含收容于原料容器内的固体或液体原料气化后的气体的原料气体供给至成膜处理部时,能够以较高的精度对原料容器内的原料的剩余量进行测定。在用于向原料容器供给载气的载气供给通路设置有MFC1,在原料气体供给通路设置有MFM3。在用于向原料气体供给通路供给稀释气体的稀释气体供给通路设置MFC2。从MFM3的测定值减去MFC1测定值与MFC2的测定值的合计值,求取偏差值,从自MFM3的测定值减去MFC1的测定值与MFC2的测定值的合计值而得到的值减去偏差值,求取原料的流量的实测值,并求取原料的重量的实测值。从原料容器内的初期的填充量(新的原料容器的填充量)减去原料的流量的实测值的累计值,测定原料的剩余量。 | ||
搜索关键词: | 原料 气体 供给 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种原料气体供给装置,其使原料容器内的固体或液体原料气化而与载气一起作为原料气体经由原料气体供给通路供给至对基板进行成膜处理的成膜处理部,所述原料气体供给装置的特征在于,包括:用于对所述原料容器供给载气的载气供给通路;从所述载气供给通路分支,绕过所述原料容器与原料气体供给通路连接的旁通流路;与所述原料气体供给通路中的比所述旁通流路的连接部位靠下游侧的位置连接,用于使稀释气体与原料气体合流的稀释气体供给通路;与所述载气供给通路和所述稀释气体供给通路分别连接的第一质量流量控制器和第二质量流量控制器;设置于所述原料气体供给通路中的稀释气体供给通路的合流部位的下游侧的质量流量计;将从所述载气供给通路至原料气体供给通路的载气流路在所述原料容器内与旁通流路之间进行切换的切换机构;和控制部,其执行下述步骤:在将所述载气流路切换至所述原料容器内的状态下,将原料气体与载气和稀释气体一起供给至所述成膜处理部内的基板的原料供给步骤;和从新的原料容器内的原料的填充量减去包含基于所述原料供给步骤时的原料气体的实际流量所计算的原料的消耗量的累积消耗量,从而求取原料容器的剩余量的剩余量计算步骤,在令所述第一质量流量控制器、第二质量流量控制器和质量流量计的流量的各测定值分别为m1、m2和m3时,利用以下的步骤求取所述原料气体的实际流量,所述步骤为:在将所述载气流路切换至旁通流路侧的状态下,使载气和稀释气体流通而求取作为(m3-(m1+m2))的计算值的偏差值的步骤;和在将所述载气流路切换至原料容器侧的状态下,使载气和稀释气体流通而求取(m3-(m1+m2))的计算值,从该计算值减去所述偏差值而求取原料的流量的实测值的步骤。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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