[发明专利]一种低干扰电感结构的制造方法有效
| 申请号： | 201611096995.1 | 申请日： | 2016-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN106653568B | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 王浩 | 申请（专利权）人： | 昆山纳尔格信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集智东方知识产权代理有限公司 11578 | 代理人： | 张红;林青 |
| 地址： | 226600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种低干扰电感结构的制造方法，包括：提供一衬底，并在所述衬底的上表面形成一沟槽；在所述沟槽底部形成第一电感结构，所述第一电感结构包括第一中间电极、第一边缘电极、第一电感图案、连接所述第一中间电极与所述第一电感图案的第一导电通孔以及连接所述第一边缘电极与所述第一电感图案的第一斜面连接层；其中，所述第一边缘电极位于所述衬底的上表面，所述第一中间电极位于所述衬底的下表面，所述第一导电通孔贯穿所述沟槽隔离结构的底部与所述衬底的下表面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 干扰 电感 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低干扰电感结构的制造方法，包括：提供一衬底，并在所述衬底的上表面形成一沟槽；在所述沟槽底部形成第一电感结构，所述第一电感结构包括第一中间电极、第一边缘电极、第一电感图案、连接所述第一中间电极与所述第一电感图案的第一导电通孔以及连接所述第一边缘电极与所述第一电感图案的第一斜面连接层；其中，所述第一边缘电极位于所述衬底的上表面，所述第一中间电极位于所述衬底的下表面，所述第一导电通孔贯穿所述沟槽的底部与所述衬底的下表面；还包括用隔离材料填充所述沟槽，以形成沟槽隔离结构，所述沟槽隔离结构的上表面高于所述衬底的上表面；还包括在所述沟槽隔离结构中形成一个凹槽，并在所述凹槽中形成第二电感图案和第二斜面连接层，以及在所述沟槽隔离结构的上表面形成第二边缘电极，所述第二电感图案、第二斜面连接层与所述第二边缘电极一体成型并互相电连接；还包括在所述凹槽中填充隔离材料直至形成与所述沟槽隔离结构的上表面齐平的顶面；还包括在所述凹槽中的隔离材料中形成第二导电通孔以及在所述顶面上形成第二中间电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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