[发明专利]半导体结构及其制造方法

摘要

本发明公开一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括一存储单元结构。所述存储单元结构包括一晶体管、一第一电极、两个第二电极、和两个电阻式随机存取存储器元件。第一电极和第二电极设置在一水平的平面中。第一电极是设置在第二电极间。第一电极和第二电极是平行设置。第一电极耦接至晶体管的源极区。其中一电阻式随机存取存储器元件是设置在第一电极和其中一第二电极间。另一电阻式随机存取存储器元件是设置在第一电极和另一第二电极间。

主权项

一种半导体结构，其特征在于，包括：基板；多条第一金属线和多条第二金属线，交替地设置在水平地位于所述基板上的一平面中；多个电阻式随机存取存储器元件构成的一阵列，设置在所述平面中，其中各个所述电阻式随机存取存储器元件分别位于其中一所述第一金属线和与该其中一所述第一金属线相邻的其中一所述第二金属线间；多个晶体管，其中所述晶体管的源极区分别耦接至所述第一金属线；以及多条位线，分别耦接至所述第二金属线。