[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置有效
| 申请号： | 201611100752.0 | 申请日： | 2016-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN108155237B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 伏广才 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。包括：第一导电类型的半导体衬底；栅极结构，形成在所述半导体衬底上；源极和漏极，形成在所述栅极结构两侧的半导体衬底中，所述漏极和所述栅极结构之间存在间隔，定义所述源极和漏极之间的连线的延伸方向为第一方向；沟槽接触形成在所述栅极结构和所述漏极之间的半导体衬底上，其中，所述沟槽接触包括主体部分以及与所述主体部分相连接的若干个梳齿，所述主体部分沿所述第一方向上的至少一侧设置有所述梳齿。本发明的半导体器件的沟槽接触，可以改善制备工艺的裕度，并且可以降低沟槽接触的关键尺寸，有效解决沟槽接触制备时有源区和多晶硅栅极受到损伤的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：第一导电类型的半导体衬底；栅极结构，形成在所述半导体衬底上；源极和漏极，形成在所述栅极结构两侧的半导体衬底中，所述漏极和所述栅极结构之间存在间隔，定义所述源极和漏极之间的连线的延伸方向为第一方向；沟槽接触，所述沟槽接触形成在所述栅极结构和所述漏极之间的半导体衬底上，其中，所述沟槽接触包括主体部分以及与所述主体部分相连接的若干个梳齿，所述主体部分沿所述第一方向上的至少一侧设置有所述梳齿。
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