[发明专利]芯片散热用镓液态金属合金及其制造方法在审
| 申请号： | 201611102378.8 | 申请日： | 2016-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN106609332A | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 李延民;程亚东 | 申请（专利权）人： | 上海阿莱德实业股份有限公司 |
| 主分类号： | C22C30/00 | 分类号： | C22C30/00;C22C1/02;C22C28/00 |
| 代理公司： | 上海三和万国知识产权代理事务所(普通合伙)31230 | 代理人： | 陈伟勇 |
| 地址： | 201419 上海市奉*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及液态金属合金。芯片散热用镓液态金属合金，是采用下述工艺制成的金属合金，步骤一，对原料进行配比称重，原料按以下质量比称重镓25％～60％、铟10％～30％、铋10％～30％、硼15％～35％、铯5％～40％、钼5％～25％；步骤二，合金熔炼将锅炉升温至300°，在坩埚中依次放入铟、铋、硼和铯，将坩埚放入锅炉中加热；步骤三，将锅炉的温度调整为250°，然后在坩埚中加入钼，静置10min‑30min，熔化后将表层氧化物除去并搅拌；步骤四，将锅炉的温度调整为150°，然后在坩埚中加入镓；步骤五，自然冷却至室温，得到合金成品。本发明优化了传统的配方能够降低熔点的同时提高散热效果。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 散热 液态 金属 合金 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
芯片散热用镓液态金属合金，其特征在于，是采用下述工艺制成的金属合金，步骤一，对原料进行配比称重，原料按以下质量比称重：镓25％～60％、铟10％～30％、铋10％～30％、硼15％～35％、铯5％～40％、钼5％～25％；步骤二，合金熔炼：将锅炉升温至300°，在坩埚中依次放入铟、铋、硼和铯，将坩埚放入锅炉中加热，熔化后将表层氧化物除去并搅拌；步骤三，将锅炉的温度调整为250°，然后在坩埚中加入钼，静置10min‑30min，熔化后将表层氧化物除去并搅拌；步骤四，将锅炉的温度调整为150°，然后在坩埚中加入镓，熔化后将表层氧化物除去并搅拌；步骤五，取出坩埚，将坩埚内的物质浇铸到烘干过的模具内，自然冷却至室温，得到合金成品。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海阿莱德实业股份有限公司，未经上海阿莱德实业股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611102378.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：高塑性压铸镁合金及其成形方法
- 下一篇：一种工业用钛合金及制备方法
