[发明专利]一种氮化镓基肖特基势垒整流器有效
| 申请号： | 201611102938.X | 申请日： | 2016-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN106601789B | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 裴轶;刘强 | 申请（专利权）人： | 苏州捷芯威半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371 | 代理人： | 吴开磊 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种氮化镓基肖特基势垒整流器，所述氮化镓基肖特基势垒整流器包括连通层；位于所述连通层一侧的漂移层；位于所述漂移层一侧与连通层对侧并且经过表面刻蚀后沉积形成的金属氧化物沟槽；位于所述漂移层一侧与连通层对侧表面上的阳极金属；以及位于所述连通层一侧与漂移层对侧的阴极金属。本发明的整流器使用了异质结形成的极化电荷，可以容易地调制其密度分布；极化电荷电离产生的载流子在低温下不会被冻结，可以使器件工作在较低温下。本发明的整流器使用了金属氧化物沟槽设计，增加了器件的耐压；通过对深度方向的空间电荷密度的调制，使极化电荷沿深度方向梯度分布，改善了电场在漂移层中的分布，进一步增加了器件的耐压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 镓基肖特基势垒 整流器 | ||
【主权项】：
一种氮化镓基肖特基势垒整流器，其特征在于，包括：连通层；位于所述连通层一侧的漂移层，该漂移层为单层或多层复合结构，其中的一层或多层材料的组分沿深度方向按预设调制函数改变，所述漂移层与所述连通层形成异质结结构，使所述漂移层内产生极化电荷,所述漂移层为铝镓氮、铟镓氮或其他可以与氮化镓形成异质结沟道的材料；在所述漂移层远离所述连通层一侧表面刻蚀后沉积形成的金属氧化物沟槽；位于所述漂移层远离所述连通层一侧的阳极金属；以及位于所述连通层远离所述漂移层一侧的阴极金属。
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