[发明专利]快反向恢复SJ‑MOS的方法及其器件结构

摘要

本发明涉及快反向恢复SJ‑MOS的方法及其器件结构，在N+衬底上生长外延N‑；通过Trench光刻板，刻蚀出深沟槽；在沟槽表面生长一层浅掺杂的N‑ ‑；在N‑ ‑外延表面生长P+外延，使之填充满沟槽，并进行CMP工艺，将沟槽外的N‑ ‑及P型外延去掉，形成N柱P柱相交替的超结结构；通过Body光刻板注入体区并退火形成body区，淀积场氧化成并回刻，通过栅氧、多晶硅淀积回刻形成gate，再注入As或P并推阱形成Nsource；淀积ILD并回刻，孔注，最后淀积金属并回刻，形成器件的最终结构。本发明通过调整外延的掺杂浓度分布，达到减小少子存储电荷，加快反向恢复过程的目的，使得反向恢复时间明显减小。

主权项

快反向恢复SJ‑MOS的方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一：在N+衬底上生长外延N‑；步骤二：通过Trench光刻板，刻蚀出深沟槽；步骤三：在沟槽表面生长一层浅掺杂的N‑ ‑；步骤四：随后，在N‑ ‑外延表面，生长P+外延，使之填充满沟槽，并进行CMP工艺，将沟槽外的N‑ ‑及P型外延去掉，形成N柱P柱相交替的超结结构；步骤五：通过Body光刻板注入体区并退火形成body区，淀积场氧化成并回刻，通过栅氧、多晶硅淀积回刻形成gate，再注入As或P并推阱形成Nsource；步骤六：淀积ILD并回刻，孔注，最后淀积金属并回刻，形成器件的最终结构。