[发明专利]晶体管阵列基板及应用的显示面板有效
申请号: | 201611108620.2 | 申请日: | 2016-12-06 |
公开(公告)号: | CN107154403B | 公开(公告)日: | 2020-01-03 |
发明(设计)人: | 林峻良;崔博钦;陈宏昆;许乃方;陈奕静 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362 |
代理公司: | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种晶体管阵列基板及应用的显示面板。该晶体管阵列基板包含多个晶体管设置在一基材上,其中之一的晶体管包括设置在基材上的一栅极电极、设置在栅极电极上的一第一绝缘层、设置在第一绝缘层上且包含一通道区的一有源层、设置在有源层上的一源极电极和一漏极电极。其中源极电极和漏极电极中的至少一者包含:设置在有源层上的一第一导电层,和设置在第一导电层上并与第一导电层接触的一第二导电层。其中第二导电层暴露出第一导电层的部分上表面,以使第一导电层于第二导电层的边缘处具有一第一突出部朝向通道区延伸。 | ||
搜索关键词: | 晶体管 阵列 应用 显示 面板 | ||
【主权项】:
1.一种晶体管阵列基板,包含多个晶体管设置在一基材上,其中该些晶体管中的一晶体管包括:/n栅极电极,设置在该基材上;/n第一绝缘层,设置在该栅极电极上;/n有源层,设置在该第一绝缘层上,包含通道区;/n源极电极和漏极电极,设置在该有源层上,其中该源极电极和该漏极电极中的至少一者包含:/n第一导电层,设置在该有源层上;和/n第二导电层,设置在该第一导电层上并与该第一导电层接触;/n其中该第二导电层暴露出该第一导电层的部分上表面,以使该第一导电层于该第二导电层的边缘处具有一第一突出部朝向该通道区延伸,该第一导电层于该第二导电层的边缘处具有一第三突出部,该第三突出部远离该通道区延伸;和/n第二绝缘层,覆盖该源极电极和该漏极电极,其中该第二绝缘层的部分上表面具有弧形边缘。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的