[发明专利]在异质基底上的第III族氮化物缓冲层结构的p型掺杂有效
| 申请号： | 201611108745.5 | 申请日： | 2014-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN107068749B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | S·吕特根;S·穆拉德;A·基特尼斯 | 申请（专利权）人： | 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/02;H01L29/20;H01L29/207 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 李振东;过晓东 |
| 地址： | 德国海*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及在异质基底上的外延第III族氮化物缓冲层结构(100)，其中该缓冲层结构(100)包括至少一个应力管理层序列S，该应力管理层序列包括位于第一和第二第III族氮化物层(120，140)之间及与其相邻的间层结构(530)，其中该间层结构(530)包括具有比第一和第二第III族氮化物层(120，140)的材料更大的带隙的第III族氮化物间层材料，其中p型掺杂剂浓度分布由至少1×10 |
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| 搜索关键词： | 基底 iii 氮化物 缓冲 结构 掺杂 | ||
【主权项】：
在硅上的外延第III族氮化物缓冲层结构，其中所述缓冲层结构包括至少一个应力管理层序列，所述应力管理层序列包括位于第一和第二第III族氮化物层之间及与第一和第二第III族氮化物层相邻的间层结构，其中所述间层结构包含具有比所述第一和第二第III族氮化物层的材料更大的带隙的第III族氮化物间层材料，及其中p型掺杂剂浓度分布由至少1×1018cm‑3开始在由所述间层结构至所述第一和第二第III族氮化物层的过渡中降低至少2倍，其中所述第一第III族氮化物层的厚度在300nm和2000nm之间，所述第二第III族氮化物层的厚度在300nm和1500nm之间。
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