[发明专利]用CGS干涉仪表征处理诱发晶片形状以用于过程控制的系统及方法

摘要

本发明涉及用CGS干涉仪表征处理诱发晶片形状以用于过程控制的系统及方法。本发明公开一种使用相干梯度感测(CGS)干涉测量将晶片形状表征的系统及方法。该方法包含使用CGS系统在晶片表面上测量至少3x106个数据点，以获得该晶片表面的拓扑图。针对晶片的前置处理与后置处理，收集该晶片上的数据，并且计算差值以获得对晶片表面形状影响的测量。根据该晶片表面形状内已测量的处理诱发变化，来控制用于处理相同晶片或后续晶片的处理步骤，以提高晶片处理质量。

主权项

一种表征具有前侧与后侧的并经历一个或多个半导体制造处理步骤的第一晶片的形状的方法，该方法包含：a)在执行一个或多个半导体制造处理步骤之前，根据晶片形状取样计划，对第一晶片的前侧表面与后侧表面中的至少一个的第一形状执行第一相干梯度感测(CGS)干涉形状测量；b)在第一晶片的前侧与后侧的至少一个上，执行一个或多个半导体制造处理步骤的至少一个；c)在执行动作b)之后使用与动作a)相同的晶片形状取样计划，对第一晶片的前侧表面与后侧表面中的至少一个的第二形状执行第二CGS干涉形状测量；以及d)通过比较第一CGS干涉形状测量与第二CGS干涉形状测量，确定第一晶片的形状中的处理诱发变化。