[发明专利]一种提升闪存存储器数据保持力的方法

摘要

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种提升闪存存储器数据保持力的方法，通过在闪存存储器进入待机状态后增加一次提高电压的读操作及相应的编程操作，使阈值电压偏低的0单元的阈值电压保持在预设电压之上，以保证阈值电压偏低的0单元的阈值电压及时得到提升，有效防止0单元由于电荷丢失而导致的反转，从而有效提升了闪存存储器的数据保持能力，延长产品的使用寿命；并且这个增加的读操作及相应编程操作是在芯片进入待机模式后自动完成，不会影响用户使用时间。

主权项

一种提升闪存存储器数据保持力的方法，其特征在于，包括如下步骤：在所述闪存存储器进入待机模式后，采用正常读取电压读取所述闪存存储器中的数据；判断所述闪存存储器中是否存在0单元，若否，则随后退出；采用预设电压读取所述闪存存储器中的数据，其中，所述预设电压大于所述正常读取电压；判断所述闪存存储器中是否存在阈值电压小于所述预设电压的0单元，若否，则随后退出；对所述阈值电压小于所述预设电压的0单元进行编程，以使所述0单元的阈值电压大于所述预设电压。