[发明专利]原子层沉积设备及其抽气速率控制方法有效
申请号: | 201611112747.1 | 申请日: | 2016-12-07 |
公开(公告)号: | CN108070844B | 公开(公告)日: | 2019-10-18 |
发明(设计)人: | 吴学宪 | 申请(专利权)人: | 矽碁科技股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/52 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 乔媛;汤在彦 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明揭露一种用于一原子层沉积设备的抽气速率控制方法及使用此方法的原子层沉积设备。该原子层沉积设备包含反应室、供气装置、抽气装置及并联管路,该供气装置连接至该反应室以选择性提供该反应室至少二反应气体及至少一清泄气体,该抽气装置连接至该反应室以对该反应室抽气,该并联管路连接该供气装置及该抽气装置并包含并联控制阀门,该供气装置经由该并联管路提供该抽气装置不与该反应气体反应的负载气体。通过控制该并联控制阀门的开、闭,可改变该抽气装置的抽气负载,进而达到改变该抽气装置对该反应室的抽气速率的目的。 | ||
搜索关键词: | 反应室 抽气装置 原子层沉积设备 抽气 并联管路 供气装置 并联控制 反应气体 速率控制 阀门 抽气装置连接 供气装置连接 选择性提供 负载气体 可改变 泄气 | ||
【主权项】:
1.一种抽气速率控制方法,其特征在于,所述抽气速率控制方法用于一原子层沉积设备,所述原子层沉积设备包含一反应室、一供气装置、一抽气装置及一并联管路,所述供气装置连接至所述反应室以选择性提供所述反应室至少二反应气体及至少一清泄气体,所述抽气装置连接至所述反应室以对所述反应室抽气,所述并联管路连接所述供气装置及所述抽气装置并包含一并联控制阀门,所述供气装置经由所述并联管路提供所述抽气装置不与所述至少二反应气体反应的一负载气体,所述抽气速率控制方法包含下列步骤:当所述供气装置提供所述反应室所述至少二反应气体其中之一时,打开所述并联控制阀门以使所述抽气装置同时对所述反应室及所述并联管路抽气;以及当所述供气装置提供所述反应室所述至少一清泄气体时,关闭所述并联控制阀门以使所述抽气装置对所述反应室抽气但不对所述并联管路抽气。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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