[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201611114382.6 | 申请日： | 2016-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN106887463B | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 郑凯予 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 公开一种具有位于晶体管上方的复合阻挡结构的半导体器件及其制造方法。该方法包括一系列步骤，包括：形成晶体管，该晶体管具有位于鳍式结构内并且邻近跨越鳍式结构的栅极结构的源极/漏极区；在源极/漏极区正上方形成第一源极/漏极接触件，并且第一源极/漏极接触件电连接至源极/漏极区；在晶体管和第一源极/漏极接触件上方沉积复合阻挡结构；以及在第一源极/漏极接触件正上方形成第二源极/漏极接触件，并且第二源极/漏极接触件电连接至第一源极/漏极接触件。该方法还包括：在沉积复合阻挡结构之前沉积第二蚀刻停止层并且在第一源极/漏极接触件正上方形成第二源极/漏极接触件，并且第二源极/漏极接触件电连接至第一源极/漏极接触件。该方法还包括在第二源极/漏极接触件上方形成接触件，并且接触件电连接至第二源极/漏极接触件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：位于衬底上方的晶体管，所述晶体管包括：位于鳍式结构上方的栅极结构；以及位于所述鳍式结构内并且邻近所述栅极结构的源极/漏极区；覆盖在所述晶体管上的钝化层；位于所述钝化层上方的扩散阻挡层；以及源极/漏极接触件，所述源极/漏极接触件延伸穿过所述扩散阻挡层和所述钝化层以电连接至所述源极/漏极区。
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