[发明专利]单晶硅的制造方法有效
| 申请号： | 201611115143.2 | 申请日： | 2016-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN106894083B | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 铃木优作 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B13/12;C30B13/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李志强;鲁炜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题：防止在感应加热线圈的狭缝等处的放电，降低单晶的顶锥侧直筒部与底锥侧直筒部的氮浓度的偏差，不产生称为位错化部分和气孔缺陷的结晶缺陷。提高不存在与硅原料的投料量增加相伴的长尺寸化的单晶硅的称为位错化部分和气孔缺陷的结晶缺陷的成品率。上述课题的解决手段：本发明的FZ法中，向炉内供给氮与氩的混合气体。在单晶硅的生长期间，改变混合气体中的氮浓度，使单晶硅的直筒部的氮浓度在2.0×1014个原子/cm3以上且4.0×1015个原子/cm3以下的范围内，来生长单晶硅。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 混合气体 结晶缺陷 气孔缺陷 侧直 筒部 位错 感应加热线圈 生长 成品率 硅原料 投料量 直筒部 放电 单晶 底锥 顶锥 炉内 狭缝 制造 | ||
【主权项】：
1.单晶硅的制造方法，其是使用基于悬浮区熔融法的单晶制造装置制造单晶硅时向炉内供给氮与氩的混合气体来制造单晶硅的方法，其特征在于，上述单晶硅的生长期间，改变上述混合气体中的氮浓度，使单晶硅的直筒部的氮浓度在2.0×1014个原子/cm3以上且4.0×1015个原子/cm3以下的范围内，来生长上述单晶硅。
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