[发明专利]焦平面探测器铟柱等离子回流成球方法在审
| 申请号： | 201611115793.7 | 申请日： | 2016-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN106816392A | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | 谢和平;覃文治;石柱;代千;邓慧中 | 申请（专利权）人： | 西南技术物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国兵器工业集团公司专利中心11011 | 代理人： | 刘东升 |
| 地址： | 610041 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种焦平面探测器铟柱等离子回流成球方法，采用氩气和氢气的等离子体对铟柱回流成球的方法。在铟柱回流过程中，利用感应耦合等离子、反应离子刻蚀或其他等离子设备完成对铟柱的回流处理。氩等离子体主要用于清洗样品和击碎铟柱表面的氧化层；氢气等离子体主要用于还原铟柱表面氧化物。该方法不需要助熔剂，方便可靠，对焦平面探测器无任何负面影响，且具有回流工艺易于控制，回流均匀性、重复性好的优势。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 探测器 等离子 回流 方法 | ||
【主权项】：
一种焦平面探测器铟柱等离子回流成球方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：读出电路制备底层金属；S2：通过电阻加热蒸发铟膜，剥离制备铟柱；S3：将制备好铟柱的读出电路放入等离子刻蚀设备中回流成球。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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