[发明专利]3D-NAND堆叠式结构的样品开封方法有效
| 申请号： | 201611116599.0 | 申请日： | 2016-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN106653621B | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 刘君芳;仝金雨;李桂花;郭伟 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L27/115 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种3D‑NAND堆叠式结构的样品开封方法，先将样品放入第一发烟硝酸中加热至去掉外壳；再利用加热台对去掉外壳的样品进行加热，将样品之间的有机物进行碳化，变得疏松多孔；最后将碳化后的样品放入第二发烟硝酸中并进行加热，快速反应掉碳化物，这样对样品不会造成损伤，可以将样品完整开封出来，大大降低煮酸时间，提高了效率。 | ||
| 搜索关键词： | nand 堆叠 结构 样品 开封 方法 | ||
【主权项】：
1.一种3D‑NAND堆叠式结构的样品开封方法，其特征在于，所述3D‑NAND堆叠式结构的样品开封方法包括如下步骤：将样品放入第一发烟硝酸中加热至去掉外壳；将去掉外壳的样品放到加热台上进行碳化，以形成碳化物；将碳化后的样品放入第二发烟硝酸中，所述第二发烟硝酸与所述碳化物反应以对其进行去胶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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